三星宣布量產第三代閃存顆粒 容量翻番
?在3D閃存領域，三星已經連續(xù)推出兩代立體堆疊閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產品。
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在3D閃存領域，三星已經連續(xù)推出兩代立體堆疊閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產品。
萬萬沒想到的是，全球第一個48層堆疊、單Die容量256Gb的首發(fā)被東芝搶了去。不過三星也不是吃素的，今天宣布正式量產首款可應用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。沒錯，這是第三代了。
從直觀層面來講，三星比東芝“良心”（忽視售價）表現在MLC顆粒以及量產能力上，畢竟東芝的說法是，我們已經準備好量產了，而三星在繼續(xù)使用現有設備的情況下，三代的生產效率還提升了40%！
與容量為128Gb的傳統NAND相比，三星此次量產的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實現翻倍增長。除了在單芯片上支持存儲容量高達32GB（256Gb）之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升現有SSD的存儲容量，輕松TB級別，這可是三星的優(yōu)勢。
據悉，在新一代V-NAND閃存中，每個單元都采用相同的3D Charge Trap Flash（簡稱CTF）結構設計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術，通過18億個通道孔在陣列上實現電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數據，換句話說，就是一個不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數據。
與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當存儲相同容量的數據時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30% 。當然，消費級我們是見不到了，這都是企業(yè)、數據中心用的。（快科技，三星宣布量產最牛3D閃存：MLC顆粒好評）
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