科客點(diǎn)評：Intel也是被AMD逼怕了，現(xiàn)在除了展示最新科技也沒發(fā)從銷量上來宣示市場權(quán)威地位了。

　　在9月19日于中國舉辦的“精尖制造日”活動上，Intel全球首次展示了用于Cannon Lake處理器的10nm晶圓。Intel強(qiáng)調(diào)，其擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度，領(lǐng)先其他“10納米”整整一代，即3年。

　　這幾年，Intel新工藝的前進(jìn)步伐明顯慢了下來，三星、臺積電則是一路狂飆，而且完全不按套路出牌，節(jié)點(diǎn)命名相當(dāng)隨意，16nm優(yōu)化一下就叫12nm，甚至10/9/8/7/6/5nm一口氣都推上去。

　　在今天的精尖制造日上，Intel就對比了自家和臺積電、三星的10nm工藝，力圖證明自己才是真正的10nm，技術(shù)上更先進(jìn)。可以說，Intel定義的14nm/10nm是最權(quán)威的水平，其他兩家都是摻水的，三星最糙。

　　此外官方表示將在中國區(qū)開疆拓土，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，主要瞄準(zhǔn)高端伙伴。

　　面對未來，Intel其實也準(zhǔn)備了很多好牌，10nm產(chǎn)品發(fā)布在即，7nm基本準(zhǔn)備就緒，5nm、3nm也都在規(guī)劃之中。

　　從Intel給出的路線圖看，5nm、3nm還處于前沿研究階段，具體如何實現(xiàn)尚未定型，量產(chǎn)更不知何年何月，但無論如何，這意味著Intel對于硅半導(dǎo)體技術(shù)的追求將堅定地走下去。

　　而為了達(dá)成5nm、3nm，Intel也在做很多技術(shù)上的前沿研究，包括納米線晶體管、III-V族晶體管，3D堆疊、密集內(nèi)存、密集互聯(lián)、EUV極紫外光刻圖案成形、神經(jīng)元計算、自旋電子學(xué)等等。

　　至于摩爾定律的極限到底在哪里，誰也不知道。

　　有趣的是，臺積電整整一年前就公布了自己的5nm、3nm規(guī)劃，并稱已有三四百人的團(tuán)隊在攻關(guān)3nm，但沒有透露任何詳細(xì)情況。添加科客公眾號kekebat，獲取更多精彩資訊。（快科技，原標(biāo)題《最強(qiáng)22/14/10nm芯片！Intel向中國開放代工：碾壓三星》）