若內(nèi)存速度提升1000倍 你的電腦會有怎樣的提升？
美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。
科技在不斷地發(fā)展，我們在使用的任何產(chǎn)品在今后都有可能會迎來非常大的變化，這也是科技給我們帶來的福利。
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騰訊數(shù)碼
科客點(diǎn)評：科技在不斷地發(fā)展，我們在使用的任何產(chǎn)品在今后都有可能會迎來非常大的變化，這也是科技給我們帶來的福利。
下一代內(nèi)存的讀取速度會比現(xiàn)在快多少？來自美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。
其實(shí)相變內(nèi)存已經(jīng)不是什么新鮮事物，IBM、英特爾等科技巨頭早已開始了相變內(nèi)存的研發(fā)工作，而其大致原理就是巧妙利用了一種特殊物質(zhì)在通電條件下可由無定形態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)的特性，以此來存儲數(shù)字信息，但是這種技術(shù)的短板在于相變過程存在較為明顯的延遲，而這對于相變內(nèi)存的存取速度至關(guān)重要。
斯坦福大學(xué)的最新研究結(jié)果顯示，在0.5THz強(qiáng)度的電脈沖情況下，僅需幾皮秒(1秒等于1012皮秒)相變內(nèi)存就能產(chǎn)生用于存儲數(shù)據(jù)的結(jié)晶纖維，盡管其他大部分依舊呈無定形狀態(tài)，但基于以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以認(rèn)為相變內(nèi)存的相變過程基本在皮秒級別，而現(xiàn)在的DRAM(1秒等于109皮秒)內(nèi)存是用納秒來衡量的，如此一來便是1000倍的差距(1納秒等于103皮秒)，也就是說相變內(nèi)存的存儲速度理論上能夠達(dá)到DRAM內(nèi)存的1000倍，同時(shí)能耗較低且斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。
Aaron Lindenberg教授表示，雖然該研究成果非?；A(chǔ)，但是卻充滿前景，功耗更低速度更快的相變內(nèi)存或許真的不太遠(yuǎn)了。關(guān)注科客網(wǎng)官方微信kekebat，獲取更多精彩資訊。（騰訊數(shù)碼，原標(biāo)題《如果內(nèi)存速度提升了1000倍 你的電腦是啥樣？》）
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林夏夕
再大的內(nèi)存該慢還是慢
讓時(shí)光從來
好想試試
檸檬不萌4613
未來黑科技啊
月呀兒
不錯(cuò)，好事
空悟
聽著像仿生科技
suib
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婷婷娜
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悅?cè)荒?/a>
若內(nèi)存速度提升1000倍 你的電腦會有怎樣的提升？ 科客點(diǎn)評：科技在不斷地發(fā)展，我們在使用的任何產(chǎn)品在今后都有可能會迎來非常大的變化，這也是科技給我們帶來的福利。 下一代內(nèi)存的讀取速度會比現(xiàn)在快多少？來自美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。