國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力！紫光2019年要量產(chǎn)64層3D NAND by m8 2017/05/09 產(chǎn)品 為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片 1
閃存被韓國(guó)三星/SK海力士壟斷：國(guó)產(chǎn)手機(jī)受限于人 by Doom 2017/05/05 行業(yè) 預(yù)計(jì)到今年第三季度，三星電子、SK海力士等韓國(guó)廠商的3D NAND閃存的市場(chǎng)份額，在全球NAND閃存市場(chǎng)中占比將超過50%。 標(biāo)簽： 三星內(nèi)存芯片 1
三星Q1利潤(rùn)創(chuàng)4年最高記錄：暴漲46.29% 閃存功勞大！ by Doom 2017/04/27 行業(yè) 得益于存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，三星電子今年第一季度利潤(rùn)創(chuàng)下2013年以來新高。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片三星 1
吊打1080 Ti！SK海力士明年將推GDDR6芯片 by m8 2017/04/25 產(chǎn)品 根據(jù)SK Hyni消息，其全新的GDDR6高性能圖形處理器芯片2Znm GDDR6 DRAM將于明年年初推出，旨在適應(yīng)所有新型高性能圖像處理器的生產(chǎn)。 標(biāo)簽： 顯卡內(nèi)存芯片 1
余承東實(shí)力回應(yīng)華為P10疏油層/閃存問題：這是友商在抹黑 by Doom 2017/04/20 產(chǎn)品 近日，華為P10的“閃存門”可以說是越鬧越大，甚至是到了似乎不可收拾的地步。在華為官方接連作出回應(yīng)后，華為高級(jí)副總裁余承東也親自在微博中發(fā)聲為華為P10洗地。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片華為手機(jī) 11
容量將翻番！SK海力士成功研發(fā)新型閃存芯片 by m8 2017/04/11 產(chǎn)品 SK海力士4月11日宣布，已經(jīng)成功研發(fā)出72層堆疊、單晶片容量256Gb的3D TLC閃存芯片。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片 1
或?qū)⒙淙朊绹?guó)手中 日政府反對(duì)中韓廠商收購(gòu)東芝閃存業(yè)務(wù) by m8 2017/04/11 行業(yè) 據(jù)了解，日本政府可能會(huì)以國(guó)家安全為由反對(duì)富士康或者SK 海力士的收購(gòu)，他們認(rèn)為使用東芝的芯片技術(shù)具有戰(zhàn)略價(jià)值。考慮到日本和美國(guó)之間的密切關(guān)系，博通公司的機(jī)會(huì)相比之下可能會(huì)更大一些。 標(biāo)簽： 東芝內(nèi)存芯片 1
企業(yè)版Optane讓你望而卻步？Intel推親民消費(fèi)者版 by m8 2017/03/31 產(chǎn)品 就在3月27日，Intel發(fā)布消費(fèi)者版Optane“內(nèi)存”，并將在4月24日發(fā)售。該版本Optane并非SSD，而是普通機(jī)械硬盤的緩存配件。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片英特爾 11
DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定當(dāng)中：速度會(huì)比DDR4快兩倍！ by Doom 2017/03/31 產(chǎn)品 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多。 標(biāo)簽： 內(nèi)存芯片電腦 1
內(nèi)存瘋狂漲價(jià)中 要升級(jí)的不妨趕緊入手！ by Doom 2017/01/30 行業(yè) 臺(tái)灣內(nèi)存大廠南亞的總裁李培英指出，因?yàn)槿蚬?yīng)短缺，DRAM內(nèi)存的價(jià)格會(huì)在2017年上半年持續(xù)快速增長(zhǎng)。 標(biāo)簽： 芯片內(nèi)存芯片 1
